🔬 CVD 生长炉 v13 — SiC 平坦膜 （时间均匀连续释放 · v∝T 比例保真 · 沉积⇌刻蚀）
20 kPa
晶体厚度（平均/最大）
0.00 μm
平均 0.00 · 最大 0.00 μm
净生长速率（沉积−刻蚀）
0.00 μm/min
0.0 nm/s
厚度累计（上限100μm）
0.00 μm
结晶事件 0
H₂
Ar
HCl
N₂
SiH₄
C₃H₈
衬底（单层·墨绿）
SiC 结晶薄膜
※ v13：恒定速率+小数累加器→时间严格均匀，无批次无浪；全局动态慢放→热区/冷区速度严格 1:5.02（v∝T）
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