Trench CVD Fill v1

时间min 速度min/s

SiC mesa trench void new crystal

气体流量 / 工艺

H2 载气 L/min

Ar L/min

HCl L/min

N2 L/min

SiH4 sccm

C3H8 sccm

气压 kPa

温度 °C

模型用前驱体供给、HCl 刻蚀、温度和压力估测净生长速率；用于趋势比较，不替代实测校准。

沟槽深度 D μm

沟槽宽度 S μm

Pitch μm

L/S 比

显示周期数

气相空间高度 μm

用 L/S 自动计算 pitch

侧壁沉积系数

底部传质系数

Mesa top rate

Trench bottom rate

Sidewall rate

Fill state

顶部生长速率由气体组成估算。底部速率 = 顶部速率 × 深宽比传质衰减 × L/S loading 修正。画布显示封闭气相空间和若干个 trench 周期。浅绿色区域为时间累计的新晶体：mesa 顶部增厚、沟槽底部上长、侧壁向内闭合。

填埋进度 vs 时间

顶部 / 底部 / 侧壁速率